MBN골드

뉴스

삼성전자, HBM4E 12단 샘플 출하…AI 메모리 주도권 강화	2026-05-29 08:11
삼성전자가 차세대 AI 메모리인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 고대역폭메모리(HBM) 시장 주도권 확보에 나섰습니다. 삼성전자는 차세대 AI 가속기용 메모리인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 출하했다고 오늘(29일) 밝혔습니다. 지난 2월 세계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공한 데 이어 차세대 제품까지 선제적으로 공급하며 AI 메모리 경쟁력을 강화하는 모습입니다. HBM4E는 핀(Pin)당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 지원합니다. 이는 기존 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수준입니다. 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공해 대규모언어모델(LLM)과 AI 추론·학습 성능을 높일 수 있다는 설명입니다. 용량도 개선됐습니다. 이번 12단 제품은 48GB 용량을 구현했으며, 향후 32GB(8단)와 64GB(16단) 제품까지 라인업을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이번 제품에 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 공정 기반 로직 다이를 적용했습니다. 이를 통해 공정 안정성과 수율, 양산성을 확보했다고 설명했습니다. 전력 효율과 발열 성능도 개선됐습니다. 삼성전자에 따르면 HBM4E는 전작 대비 에너지 효율이 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 향상됐습니다. 업계에서는 이번 HBM4E 샘플 공급이 단순 제품 공개를 넘어 AI 반도체 시장 내 삼성전자의 입지를 강화하는 계기가 될 것으로 보고 있습니다. 특히 메모리와 파운드리, 첨단 패키징을 모두 보유한 삼성전자의 '원스톱 턴키 솔루션' 전략이 본격화되고 있다는 평가가 나옵니다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며, "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 강조했습니다. 삼성전자는 현재 HBM4 양산 공급도 확대하고 있습니다. 업계에서는 HBM4와 동일한 1c D램·4나노 베이스 다이 조합이 적용된 만큼 HBM4E 역시 양산 전환 가능성이 높을 것으로 보고 있습니다. [조문경 기자 / sally3923@mk.co.kr]

삼성전자, HBM4E 12단 샘플 출하…AI 메모리 주도권 강화

2026-05-29 08:11

삼성전자가 차세대 AI 메모리인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 고대역폭메모리(HBM) 시장 주도권 확보에 나섰습니다.

삼성전자는 차세대 AI 가속기용 메모리인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 출하했다고 오늘(29일) 밝혔습니다.

지난 2월 세계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공한 데 이어 차세대 제품까지 선제적으로 공급하며 AI 메모리 경쟁력을 강화하는 모습입니다.

HBM4E는 핀(Pin)당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 지원합니다.

이는 기존 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수준입니다.

단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공해 대규모언어모델(LLM)과 AI 추론·학습 성능을 높일 수 있다는 설명입니다.

용량도 개선됐습니다.

이번 12단 제품은 48GB 용량을 구현했으며, 향후 32GB(8단)와 64GB(16단) 제품까지 라인업을 확대할 계획입니다.

삼성전자는 이번 제품에 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 공정 기반 로직 다이를 적용했습니다.

이를 통해 공정 안정성과 수율, 양산성을 확보했다고 설명했습니다.

전력 효율과 발열 성능도 개선됐습니다.

삼성전자에 따르면 HBM4E는 전작 대비 에너지 효율이 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 향상됐습니다.

업계에서는 이번 HBM4E 샘플 공급이 단순 제품 공개를 넘어 AI 반도체 시장 내 삼성전자의 입지를 강화하는 계기가 될 것으로 보고 있습니다.

특히 메모리와 파운드리, 첨단 패키징을 모두 보유한 삼성전자의 '원스톱 턴키 솔루션' 전략이 본격화되고 있다는 평가가 나옵니다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며, "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 강조했습니다.

삼성전자는 현재 HBM4 양산 공급도 확대하고 있습니다.

업계에서는 HBM4와 동일한 1c D램·4나노 베이스 다이 조합이 적용된 만큼 HBM4E 역시 양산 전환 가능성이 높을 것으로 보고 있습니다.

[조문경 기자 / sally3923@mk.co.kr]