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젠슨 황, GTC서 "삼성에 감사"…양사 협력 강화 2026-03-17 09:24
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 연례 개발자 회의 'GTC 2026' 기조연설에서 삼성을 특별히 언급하며 감사를 표하면서 양사 간 긴밀한 협력이 부각됐습니다.

황 CEO는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 소재 SAP센터에서 진행한 기조연설에서 추론 전용 칩을 소개하면서 "삼성이 우리를 위해 '그록(Groq)3' 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다"며 "지금 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다. 삼성에게 정말 감사드린다"고 말했습니다.

황 CEO는 해당 칩이 엔비디아의 차세대 AI 칩 '베라 루빈' 시스템에 탑재된다고 설명하면서 "올해 하반기, 아마 3분기께 출하가 시작될 것"이라고 말했습니다.

그록3 LPU는 엔비디아의 '루빈' 그래픽처리장치(GPU)와 역할을 나눠 추론 성능과 효율성을 높이는 칩으로, 황 CEO의 이번 발언을 통해 삼성전자의 파운드리(반도체 수탁생산) 사업부가 생산하고 있다는 사실이 확인됐습니다.

이에 따라 삼성전자는 엔비디아의 GPU에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 외에 파운드리 부문에서도 엔비디아와의 협력을 대내외에 과시할 수 있게 됐습니다.

삼성전자도 이날 GTC 행사장에 마련한 전시장을 통해 차세대 HBM인 'HBM4E'의 실물 칩과 적층용 칩인 '코어 다이' 웨이퍼를 처음으로 일반에 공개하며 메모리 부문에서 엔비디아와의 협력을 적극적으로 홍보했습니다.

올 하반기 샘플 출하를 목표로 하는 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정입니다.

이는 지난달 양산 출하를 개시한 최신작 6세대 HBM4의 13Gbps 전송속도와 3.3TB/s 대역폭을 뛰어넘는 수치입니다.

삼성전자는 HBM4의 양산을 통해 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리의 4㎚(나노미터) 베이스 다이(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품) 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발을 가속한다는 계획입니다.

특히 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 통해 이와 같은 경쟁력이 종합반도체기업(IDM)만의 강점임을 내세웠습니다.

엔비디아와의 협력 관계를 보여주는 전시품도 전면에 배치했습니다.

엔비디아의 차세대 그래픽처리장치(GPU) '루빈'에 탑재되는 HBM4를 비롯해 중앙처리장치(CPU) '베라'용 소캠(SOCAMM·서버용 저전력 메모리 모듈)2, 기업용 6세대 SSD인 'PM1763' 스토리지 등을 통해 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리를 공급할 수 있다는 점을 부각했습니다.

[ 고진경 기자 / jkkoh@mk.co.kr ]