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삼성전자, GTC서 HBM4E 첫 공개…엔비디아와 AI 동맹 강화 2026-03-17 05:30
삼성전자가 엔비디아 개발자 콘퍼런스 GTC 2026에서 7세대 고대역폭메모리, HBM4E를 처음 공개하며 AI 메모리 기술력을 선보였습니다.

삼성전자는 현지시간으로 16일부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 GTC에서 1c D램 공정 기반 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초 공개했다고 오늘(17일) 밝혔습니다.

HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 속도와 4TB/s 대역폭을 지원하는 차세대 AI 메모리로, 열 저항을 20% 이상 개선한 HCB(Hybrid Copper Bonding) 패키징 기술도 함께 공개했습니다.

삼성전자는 이번 전시에서 메모리·로직 설계·파운드리·첨단 패키징을 아우르는 '메모리 토털 솔루션' 전략을 제시했습니다.

특히 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 '베라 루빈(Vera Rubin)'에 필요한 HBM4, SOCAMM2, 서버용 SSD(PM1763) 등을 통합 전시하며 AI 인프라 전반에서 협력 범위를 확대하고 있음을 강조했습니다.

행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 특별 초청으로 발표에 나서, 차세대 AI 시스템을 지원하기 위한 삼성의 메모리 솔루션 전략과 AI 인프라 비전을 제시할 예정입니다.

삼성전자 관계자는 "AI 팩토리 혁신을 위해서는 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI 시스템이 필수적"이라며 "삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정이다"라고 말했습니다.

[조문경 기자 / sally3923@mk.co.kr]