| 中 최초 18나노 D램 알고보니...삼성전자 전 직원 기술 빼돌려 | 2025-10-02 16:28 |
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 삼성전자가 세계 최초로 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 빼돌린 전직 삼성전자 임직원 3명이 구속돼 재판에 넘겨졌다.서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 김윤용)는 전직 삼성전자 상무 양모씨와 연구원 출신 신모씨, 권모씨 등 3명을 구속 기소했다. 이들은 중국 창신메모리반도체테크놀로지(CXMT)로 이직한 뒤 삼성전자의 18나노 D램 공정 기술을 불법 유출한 혐의를 받고 있다. CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 들여 설립한 중국 최초 D램 반도체 회사다. 유출된 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 들여 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정 기술이다. 기술 유출에 힘입어 CXMT는 중국 최초이자 세계에서 네 번째로 18나노 D램을 개발했다. 검찰은 이들의 범행으로 CXMT가 최대 약점이던 메모리 반도체 기술 장벽을 뛰어넘을 수 있었다고 판단했다. 업계에 따르면, 그간 CXMT는 구형 D램만 생산해 시장 점유율이 낮은 상태였다. 그러나 18나노 D램 양산을 계기로 중국 현지 시장 점유율을 크게 끌어올렸다. 올해 1분기에는 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론 뒤를 이어 글로벌 D램 시장 4위를 기록했다. 양씨 등은 기술 유출 대가로 CXMT에 4~6년간 삼성전자 연봉의 3~5배에 달하는 15~30억원을 받았다. 앞서 검찰은 삼성전자의 국가 핵심기술 유출 정황을 포착했다. 이에 CXMT ‘1기 개발팀’에 참여한 전직 삼성전자 부장 김모씨와 연구원 출신 전모씨 등 2명을 구속 기소했다. 검찰은 CXMT로 이직해 1기 개발실장을 맡은 김씨가 또 다른 삼성전자 퇴직자 A씨로부터 D램 공정 기술 유출 자료를 부정 취득한 사실도 추가로 확인했다. 이후 검찰은 추가 수사에서 CXMT 2기 개발실장인 양씨와 공정 개발을 총괄한 신씨, 실무 총괄을 맡은 권씨가 1기 개발팀으로부터 유출 자료를 전달받은 사실을 파악했다. 이들은 삼성전자 제품을 분해해 제조 테스트를 진행하는 방식으로 D램 개발을 지원한 사실이 드러났다. 검찰은 “이번 사건으로 발생한 삼성전자 매출 감소액은 지난해 기준 5조원으로 추정된다”며 “향후 피해 규모는 최소 수십조원까지 불어날 것으로 예상된다”고 밝혔다. 삼성전자에서 수백 단계 공정 정보를 노트에 옮겨 적어 유출한 것으로 알려진 A씨는 현재 인터폴(국제형사경찰기구) 적색수배 중이다. [ⓒ 매일경제 & mk.co.kr, 무단전재 및 재배포 금지] |
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